芯片制造的整個(gè)過(guò)程包括且不限于芯片設計、芯片制造、封裝制造、測試等。芯片制造過(guò)程特別復雜。首先在于芯片設計，根據設計要求，生成設計圖，方案也是很關(guān)鍵的。方向必須要有足夠的經(jīng)驗積累。

詳解完整的芯片制造的過(guò)程

1、晶片材料是基礎

晶片材料的成分是硅，硅又是由石英沙精制而成。將硅提純后制成硅棒，成為制造集成電路的石英半導體材料。將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。

2、晶圓涂層（膜）

晶圓涂層可以抵抗氧化和溫度，其材料也是光阻的一種類(lèi)型。

3、晶圓光刻顯影蝕刻

首先，在晶圓（或基板）表面涂覆一層光刻膠并干燥。干燥的晶片被轉移到光刻機上。通過(guò)掩模，光將掩模上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現曝光和化學(xué)發(fā)光反應。曝光后的晶圓進(jìn)行二次烘烤，即所謂曝光后烘烤，烘烤后的光化學(xué)反應更為充分。顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案。顯影后，掩模上的圖案保留在光刻膠上。糊化、烘烤和顯影都是在均質(zhì)顯影劑中完成的，曝光是在平版印刷機中完成的。均化顯影機和光刻機一般都是在線(xiàn)操作，晶片通過(guò)機械手在各單元和機器之間傳送。曝光顯影系統是封閉的，晶片不直接暴露在周?chē)h(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應的影響。這樣就得到我們所需要的二氧化硅基礎產(chǎn)品。

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4、添加雜質(zhì)操作

相應的p和n半導體是通過(guò)向晶圓中注入離子而形成的。

具體工藝是從硅片上的裸露區域開(kāi)始，將其放入化學(xué)離子混合液中。這一工藝將改變摻雜區的到方式，使每個(gè)晶體管都能打開(kāi)、關(guān)閉或攜帶數據。這時(shí)候將這**程不斷的重復，不同層可通過(guò)開(kāi)啟窗口聯(lián)接起來(lái)。這一點(diǎn)類(lèi)似所層PCB板的制作制作原理。 更為復雜的芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層。這時(shí)候通過(guò)重復光刻以及上面流程來(lái)實(shí)現，形成一個(gè)立體的結構。

5、晶圓測試測驗

經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測的方式對每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。一般來(lái)說(shuō)，每個(gè)芯片都有大量的晶粒，組織一次針測試模式是非常復雜的過(guò)程，這就要求盡可能批量生產(chǎn)相同規格型號的芯片。數量越大，相對成本就越低，這也是主流芯片器件造價(jià)低的一個(gè)因素。

詳解完整的芯片制造的過(guò)程

6、封裝技術(shù)

將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。例如：DIP、QFP、PLCC、QFN等，這主要取決于用戶(hù)的應用習慣、應用環(huán)境、市場(chǎng)形態(tài)等外圍因素等。

7、測試和包裝技術(shù)

以上工藝流程以后，芯片生產(chǎn)就已經(jīng)全部完成了。接下來(lái)就是測試芯片，去除有缺陷的產(chǎn)品并包裝。芯片的制作過(guò)程非常復雜，文字表述難免會(huì )有不清楚的地方，建議大家*好去工廠(chǎng)實(shí)地看看芯片是如何去制作的。軟硬件的結合必須要基于硬件的根基。